安森美推出GaNEXUS氮化鎵產品組合，力抗AI資料中心耗電巨浪

安森美推出 GaNEXUS 氮化鎵功率產品組合，首批樣品包括覆蓋 40V 至 650V 電壓範圍的 GaNEXUS FET，以及 650V GaN FET 的 GaNEXUS Smart 元件。該產品組合適用於對電力需求高的應用情境，包括 AI 資料中心供電、48V 系統、機器人與工業自動化，以及能源基礎設施等。

GaNEXUS 的加入擴展了安森美智慧電源產品組合的優勢，能夠為不同應用、電壓域和性能要求提供最佳化的電源解決方案。GaNEXUS、矽和 EliteSiC 技術構成了安森美廣泛的電源產品組合，為客戶在整個電力傳輸架構中最佳化性能、能效、熱性能及系統總成本提供更大靈活性。

應對 AI 基礎設施能耗挑戰，以高功率密度突破傳統架構限制

隨著 AI 基礎設施、電氣化、工業自動化及能源系統的快速發展，對更高能效和更緊湊電源架構的需求持續增長，設計人員在能耗、熱管理及系統尺寸方面面臨日益嚴峻的挑戰。預計到 2030 年，僅 AI 資料中心就將占美國總發電量的約百分之九，而電力與冷卻成本最高可占資料中心營運成本的約百分之四十。

與傳統矽基方案相比，GaNEXUS 透過實現更快開關速度、更低開關損耗、更高功率密度及更優熱性能，有效應對上述挑戰。這些優勢使客戶能夠在 AI 資料中心供電、電動汽車充電、機器人及工業電源系統等應用設計中，縮小磁性元件及散熱系統尺寸，同時提升整體系統能效與回應速度，並降低系統成本。

安森美氮化鎵事業部副總裁 Antoine Jalabert 表示，GaNEXUS 產品組合正在推動電源系統設計邁向全新架構，隨著客戶不斷追求在更小空間內實現更大功率，GaNEXUS 為工程師提供了更大的靈活性，以突破傳統電源架構的限制。

結合智慧平台降低開發難度，全面優化中低壓系統能效

GaNEXUS 旨在最佳化現代電源系統中的電能轉換與電源管理。將 GaNEXUS 與安森美的 Treo 平台配合使用時，可提供完整的系統級電源解決方案，實現更智慧、更可靠、更穩健的系統表現。這種系統級方案有助於客戶簡化整個電力傳輸鏈的設計複雜性，加速開發與認證速度，降低散熱與冷卻需求，並最佳化性能。

在包括 AI 伺服器 48V 中間母線轉換器、電池備用單元及電機驅動等中低壓系統中，GaNEXUS 可實現磁性元件尺寸縮小約百分之三十至百分之六十、功率密度提升約 1.5 至 2 倍，且能效取決於拓樸結構能提升約 0.5 至百分之二，同時還能降低開關損耗並改善熱性能與控制穩定性。

強化高壓應用散熱表現，多款業界標準封裝加速產品認證

在 AI 電源機架、高壓 DC-DC 轉換、PFC 及 LLC 功率級等高壓應用中，GaNEXUS 的表現同樣優異。在高頻 AC-DC 與諧振級中，磁性元件尺寸最多可縮減約百分之六十；在 PFC、LLC 及高壓 DC-DC 架構中，功率密度能提升約 1.5 至 2 倍。此外，其能效可提升約 0.5 至百分之一，在規模化部署時能顯著改善熱性能及營運成本，更低的損耗也能減輕緊湊型高功率系統中的熱應力。

其中的 GaNEXUS Smart 更能進一步降低系統風險並簡化功率級設計，從而加快認證速度並提升可靠性。在封裝方面，GaNEXUS 元件採用增強散熱的封裝，具備業界標準的接腳排列並支援雙源供應，例如 TOLL 底部散熱、TOLT 頂部散熱，以及 3.3mm x 3.3mm 和 5mm x 6mm 的雙面散熱封裝，完美滿足市場的多元需求。

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